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AIGW50N65F5XKSA1
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AIGW50N65F5XKSA1

类别: 晶体管
制造商:INFINEON TECHNOLOGIES
封装:
批号:
库存:1
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描述
Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5; single transistor
单价:
1+   PCS  ¥面议
100+   PCS  ¥面议
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  • AIGW50N65F5XKSA1参数
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供应商:
科微杰
制造商:
Infineon
产品种类:
IGBT 晶体管
RoHS:
技术:
Si
封装 / 箱体:
TO-247-3
安装风格:
Through Hole
配置:
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:
650 V
集电极—射极饱和电压:
1.66 V
栅极/发射极最大电压:
30 V
在25 C的连续集电极电流:
80 A
Pd-功率耗散:
270 W
最小工作温度:
- 40 C
最大工作温度:
+ 175 C
系列:
TRENCHSTOP 5 F5
封装:
Tube
商标:
Infineon Technolog...
栅极—射极漏泄电流:
100 nA
产品类型:
IGBT Transistors
工厂包装数量:
240
子类别:
IGBTs
商标名:
TRENCHSTOP
零件号别名:
AIGW50N65F5 SP0013...
单位重量:
6 g
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