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AUIRFSL8407
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AUIRFSL8407

类别: 晶体管
制造商:INFINEON TECHNOLOGIES
封装:
批号:
库存:1
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描述
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; TO262
单价:
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供应商:
科微杰
封装/外壳:
TO262
FET 类型:
N 沟道
技术:
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):
40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
195A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
2 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
4V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
225nC @ 10V
Vgs(最大值):
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
7330pF @ 25V
功率耗散(最大值):
230W(Tc)
工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:
通孔
供应商器件封装:
TO-262
通道类型:
N
最大连续漏极电流:
195 A,250 A
最大漏源电压:
40 V
最大漏源电阻值:
1.8 m0hms
最大栅阈值电压:
4V
最小栅阈值电压:
2V
最大栅源电压:
-20 V、+20 V
封装类型:
I2PAK (TO-262)
引脚数目:
3
晶体管配置:
通道模式:
增强
类别:
功率 MOSFET
最大功率耗散:
230 W
高度:
9.65mm
每片芯片元件数目:
1
尺寸:
10.67 x 4.83 x 9.6...
宽度:
4.83mm
系列:
COOLiRFET
晶体管材料:
Si
典型栅极电荷@Vgs:
150 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds:
71330 pF@ 25 V
典型关断延迟时间:
78 ns
典型接通延迟时间:
19 ns
最低工作温度:
-55 °C
最高工作温度:
+175 °C
长度:
10.67mm
无铅情况/RoHs:
无铅/符合RoHs
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