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AUIRLS3036-7P
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AUIRLS3036-7P

类别: 晶体管
制造商:INFINEON TECHNOLOGIES
封装:
批号:
库存:1
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描述
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 380W; D2PAK-7
单价:
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供应商:
科微杰
封装/外壳:
D2PAK7P
FET 类型:
N 沟道
技术:
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
240A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
1.9 毫欧 @ 180A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
160nC @ 4.5V
Vgs(最大值):
±16V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
11270pF @ 50V
功率耗散(最大值):
380W(Tc)
工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:
表面贴装
供应商器件封装:
D2PAK(7-Lead)
通道类型:
N
最大连续漏极电流:
240 A,300 A
最大漏源电压:
60 V
最大漏源电阻值:
1.9 m0hms
最大栅阈值电压:
2.5V
最小栅阈值电压:
1V
最大栅源电压:
-16 V、+16 V
封装类型:
D2PAK (TO-263)
引脚数目:
7
晶体管配置:
通道模式:
增强
类别:
功率 MOSFET
最大功率耗散:
380 W
高度:
4.83mm
每片芯片元件数目:
1
尺寸:
10.67 x 9.65 x 4.8...
宽度:
9.65mm
系列:
HEXFET
晶体管材料:
Si
典型栅极电荷@Vgs:
110 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds:
11270 pF @ 25 V
典型关断延迟时间:
89 ns
典型接通延迟时间:
81 ns
最低工作温度:
-55 °C
最高工作温度:
+175 °C
长度:
10.67mm
无铅情况/RoHs:
无铅/符合RoHs
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