BSD235NH6327XTSA1_科微杰电子商城_晶体管

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BSD235NH6327XTSA1

类别：晶体管

制造商：INFINEON TECHNOLOGIES

封装：

批号：

库存：1

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描述

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363

单价：

1+ PCS ￥面议

100+ PCS ￥面议

1000+ PCS ￥面议

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BSD235NH6327XTSA1参数
商品详情
其它分类

供应商：

科微杰

FET 类型：

2 个 N 沟道（双）

FET 功能：

逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：

20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

950mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：

350 毫欧 @ 950mA，4.5...

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：

1.2V @ 1.6µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

0.32nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

63pF @ 10V

功率 - 最大值：

500mW

工作温度：

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：

表面贴装

封装/外壳：

PG-SOT363-6

供应商器件封装：

PG-SOT363-6

通道类型：

最大连续漏极电流：

950 mA

最大漏源电压：

20 V

最大漏源电阻值：

600 m0hms

最大栅阈值电压：

1.2V

最小栅阈值电压：

0.7V

最大栅源电压：

-12 V、+12 V

封装类型：

SOT-363 (SC-88)

引脚数目：

晶体管配置：

隔离式

通道模式：

增强

类别：

小信号

最大功率耗散：

500 mW

高度：

0.8mm

尺寸：

2 x 1.25 x 0.8mm

每片芯片元件数目：

系列：

OptiMOS 2

晶体管材料：

典型栅极电荷@Vgs：

0.32 nC @ 4.5 V

典型输入电容值@Vds：

49 pF @ 10 V

典型关断延迟时间：

4.5 ns

典型接通延迟时间：

3.8 ns

宽度：

1.25mm

最低工作温度：

-55 °C

最高工作温度：

+150 °C

长度：

2mm

无铅情况/RoHs：

无铅/符合RoHs

暂无数据

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