DMN65D8LDW-7_科微杰电子商城_晶体管

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DMN65D8LDW-7

类别：晶体管

制造商：DIODES INCORPORATED

封装：

批号：

库存：1

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描述

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160mA; Idm: 0.8A; 400mW; SOT363

单价：

1+ PCS ￥面议

100+ PCS ￥面议

1000+ PCS ￥面议

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DMN65D8LDW-7参数
商品详情
其它分类

供应商：

科微杰

系列：

DMN

单位重量：

6 mg

最大工作温度：

+ 150 C

最小工作温度：

- 55 C

技术：

安装风格：

SMD/SMT

下降时间：

6.3 ns, 6.3 ns

典型接通延迟时间：

3.3 ns, 3.3 ns

上升时间：

3.2 ns, 3.2 ns

Vgs-栅极-源极电压：

20 V. 20 V

Pd-功率耗散：

300 mW

通道数量：

2 Channel

Id-连续漏极电流：

180 mA, 180 mA

Vds-漏源极击穿电压：

60 V, 60 V

晶体管类型：

2 N-Channel

RdsOn-漏源导通电阻：

8 Ohms

通道模式：

Enhancement

晶体管极性：

N-Channel

Qg-栅极电荷：

870 pC, 870 pC

Vgsth-栅源极阈值电压：

1 V, 1 V

典型关闭延迟时间：

12 ns, 12 ns

正向跨导-最小值：

80 mS, 80 mS

FET类型：

2 个 N 沟道（双）

FET功能：

逻辑电平门

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：

180mA

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：

6 欧姆 @ 115mA，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：

2V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

0.87nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：

22pF @ 25V

功率-最大值：

300mW

工作温度：

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：

表面贴装

封装/外壳：

6-TSSOP，SC-88，SOT-...

封装形式Package：

SOT-363

极性Polarity：

N-CH

漏源极击穿电压VDSS：

60V

连续漏极电流ID：

0.2A

无铅情况/RoHs：

无铅/符合RoHs

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