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RSR025N03HZGTL
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RSR025N03HZGTL

类别: 晶体管
制造商:ROHM SEMICONDUCTOR
封装:
批号:
库存:1
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描述
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 1W; TSMT3
单价:
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供应商:
科微杰
Series
Automotive, AEC-Q1...
Package
Tape & Reel (TR)Cu...
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxid...
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4.1 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
165 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
700mW (Ta)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TSMT3
Package / Case
SC-96
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