SIHP14N50D-GE3_科微杰电子商城_晶体管

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SIHP14N50D-GE3

类别：晶体管

制造商：VISHAY

封装：

批号：

库存：1

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描述

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; 208W; TO220AB

单价：

1+ PCS ￥面议

100+ PCS ￥面议

1000+ PCS ￥面议

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SIHP14N50D-GE3参数
商品详情
其它分类

供应商：

科微杰

单位包：

1000

最小起订量：

1000

FET特点：

Standard

封装：

Tube

安装类型：

Through Hole

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：

14A (Tc)

的Vgs（th ）（最大）@ Id：

5V @ 250µA

漏极至源极电压（Vdss）：

500V

标准包装：

1,000

供应商设备封装：

TO-220AB

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：

400 mOhm @ 7A, 10V

FET型：

MOSFET N-Channel, ...

功率 - 最大：

208W

封装/外壳：

TO-220-3

输入电容（Ciss ） @ VDS：

1144pF @ 100V

闸电荷（Qg ） @ VGS：

58nC @ 10V

RoHS指令：

Lead free / RoHS C...

晶体管极性：

:N Channel

Continuous Drain Current Id：

:14A

Drain Source Voltage Vds：

:500V

On Resistance Rds(on)：

:0.32ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：

:10V

Threshold Voltage Vgs：

:3V

功耗：

:208W

Operating Temperature Min：

:-55°C

Operating Temperature Max：

:150°C

Transistor Case Style：

:TO-220AB

No. of Pins：

MSL：

工作温度范围：

:-55°C to +150°C

Weight (kg)：

0.002

Tariff No.：

85412900

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