SIS443DN-T1-GE3_科微杰电子商城_晶体管

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SIS443DN-T1-GE3

类别：晶体管

制造商：VISHAY

封装：

批号：

库存：1

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描述

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -35A; Idm: -80A; 33W

单价：

1+ PCS ￥面议

100+ PCS ￥面议

1000+ PCS ￥面议

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SIS443DN-T1-GE3参数
商品详情
其它分类

供应商：

科微杰

单位包：

3000

最小起订量：

3000

FET特点：

Logic Level Gate

封装：

Tape & Reel (TR)

安装类型：

Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：

13.3A (Ta), 35A (T...

的Vgs（th ）（最大）@ Id：

2.3V @ 250µA

漏极至源极电压（Vdss）：

40V

标准包装：

3,000

供应商设备封装：

PowerPAK® 1212-8

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：

1107 mOhm @ 15A, 1...

FET型：

MOSFET P-Channel, ...

功率 - 最大：

3.7W

封装/外壳：

PowerPAK® 1212-8

输入电容（Ciss ） @ VDS：

4370pF @ 20V

其他名称：

SIS443DN-T1-GE3TR

闸电荷（Qg ） @ VGS：

135nC @ 10V

RoHS指令：

Lead free / RoHS C...

安装风格：

SMD/SMT

产品种类：

MOSFET

晶体管极性：

P-Channel

源极击穿电压：

20 V

连续漏极电流：

- 35 A

正向跨导 - 闵：

50 S

RDS（ON）：

16 mOhms

功率耗散：

52 W

下降时间：

10 ns

最低工作温度：

- 55 C

典型关闭延迟时间：

48 ns

上升时间：

10 ns

最高工作温度：

+ 150 C

漏源击穿电压：

- 40 V

RoHS：

RoHS Compliant

栅极电荷Qg：

41.5 nC

Continuous Drain Current Id：

:-35A

Drain Source Voltage Vds：

:-40V

On Resistance Rds(on)：

:0.0097ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：

:-10V

Threshold Voltage Vgs：

:-1V

功耗：

:52W

Operating Temperature Min：

:-55°C

Operating Temperature Max：

:150°C

Transistor Case Style：

:PowerPAK 1212

No. of Pins：

MSL：

:MSL 1 - Unlimited

Weight (kg)：

0.002

Tariff No.：

85412900

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