SPP20N60C3_科微杰电子商城_晶体管

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SPP20N60C3

类别：晶体管

制造商：INFINEON TECHNOLOGIES

封装：

批号：

库存：1

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描述

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3

单价：

1+ PCS ￥面议

100+ PCS ￥面议

1000+ PCS ￥面议

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SPP20N60C3参数
商品详情
其它分类

供应商：

科微杰

安装风格：

ThroughHole

封装/外壳：

TO-220-3

通道数量：

1Channel

晶体管极性：

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：

600V

Id-连续漏极电流：

20.7A

Rds On-漏源导通电阻：

190mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：

20V

最小工作温度：

-55C

最大工作温度：

+150C

配置：

Single

Pd-功率耗散：

208W

通道模式：

Enhancement

高度：

15.65mm

长度：

10mm

系列：

CoolMOSC3

晶体管类型：

1N-Channel

宽度：

4.4mm

下降时间：

4.5ns

上升时间：

5ns

典型关闭延迟时间：

67ns

典型接通延迟时间：

10ns

Packing Type：

TUBE

Moisture Level：

RDS (on) max：

190.0mΩ

IDpuls max：

62.1A

VDS max：

600.0V

ID max：

20.7 A

RthJC max：

0.6 K/W

QG (typ @10V)：

87.0 nC

Package：

TO-220

Rth：

0.6 K/W

QG：

87.0nC

ID (@25°C) max：

20.7 A

Budgetary Price €/1k：

1.89

Operating Temperature min：

-55.0°C

Ptot max：

156.0W

Ptot max：

156.0 W

Polarity：

IDpuls max：

62.1 A

VDS max：

600.0 V

Operating Temperature min：

-55.0 °C

RDS (on) (@10V) max：

190.0 mΩ

RthJA max：

62.0K/W

VGS(th) min max：

2.1 V 3.9 V

Mounting：

THT

RthJC max：

0.6K/W

RthJA max：

62.0 K/W

VGS(th) min max：

2.1V 3.9V

RDS (on) max：

190.0 mΩ

无铅情况/RoHs：

无铅/符合RoHs

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SPP20N60C3

供应商：

安装风格：

封装/外壳：

通道数量：

晶体管极性：

Vds-漏源极击穿电压：

Id-连续漏极电流：

Rds On-漏源导通电阻：

Vgs - 栅极-源极电压：

最小工作温度：

最大工作温度：

配置：

Pd-功率耗散：

通道模式：

高度：

长度：

系列：

晶体管类型：

宽度：

下降时间：

上升时间：

典型关闭延迟时间：

典型接通延迟时间：

Packing Type：

Moisture Level：

RDS (on) max：

IDpuls max：

VDS max：

ID max：

RthJC max：

QG (typ @10V)：

Package：

Rth：

QG：

ID (@25°C) max：

Budgetary Price €/1k：

Operating Temperature min：

Ptot max：

Ptot max：

Polarity：

IDpuls max：

VDS max：

Operating Temperature min：

RDS (on) (@10V) max：

RthJA max：

VGS(th) min max：

Mounting：

RthJC max：

RthJA max：

VGS(th) min max：

RDS (on) max：

无铅情况/RoHs：

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