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TK10E60W
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TK10E60W,S1VX(S

类别: 晶体管
制造商:TOSHIBA
封装:
批号:
库存:1
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描述
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 100W; TO220
单价:
1+   PCS  ¥面议
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供应商:
科微杰
通道类型
N
最大连续漏极电流
9.7 A
最大漏源电压
600 V
最大漏源电阻值
380 m0hms
最大栅阈值电压
3.7V
最大栅源电压
-30 V、+30 V
封装类型
TO-220
安装类型
通孔
晶体管配置
引脚数目
3
通道模式
增强
类别
功率 MOSFET
最大功率耗散
100 W
最高工作温度
+150 °C
每片芯片元件数目
1
高度
15.1mm
长度
10.16mm
系列
TK
宽度
4.45mm
晶体管材料
Si
典型栅极电荷@Vgs
20 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds
700 pF @ 300 V
典型关断延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
45 ns
尺寸
10.16 x 4.45 x 15....
无铅情况/RoHs
无铅/符合RoHs
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