TPN1600ANH_科微杰电子商城_晶体管

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TPN1600ANH,L1Q(M

类别：晶体管

制造商：TOSHIBA

封装：

批号：

库存：1

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描述

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; Idm: 80A; 42W; TSON8

单价：

1+ PCS ￥面议

100+ PCS ￥面议

1000+ PCS ￥面议

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TPN1600ANH,L1Q(M参数
商品详情
其它分类

供应商：

科微杰

通道类型：

最大连续漏极电流：

80 A

最大漏源电压：

100 V

最大漏源电阻值：

16 m0hms

最大栅阈值电压：

最小栅阈值电压：

最大栅源电压：

±20 V

封装类型：

TSON

安装类型：

表面贴装

引脚数目：

晶体管配置：

单

通道模式：

增强

类别：

功率 MOSFET

最大功率耗散：

42 W

典型接通延迟时间：

14 ns

典型关断延迟时间：

21 ns

典型输入电容值@Vds：

1230 pF @ 50 V

典型栅极电荷@Vgs：

19 nC @ 10 V

每片芯片元件数目：

宽度：

3.1mm

高度：

0.85mm

正向二极管电压：

1.2V

尺寸：

3.1 x 3.1 x 0.85mm

最高工作温度：

+150 °C

无铅情况/RoHs：

无铅/符合RoHs

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