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TPN8R903NL
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TPN8R903NL,LQ(S

类别: 晶体管
制造商:TOSHIBA
封装:
批号:
库存:1
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描述
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 37A; 22W; TSON8
单价:
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供应商:
科微杰
通道类型
N
最大连续漏极电流
37 A
最大漏源电压
30 V
最大漏源电阻值
12.7 m0hms
最大栅阈值电压
2.3V
最小栅阈值电压
1.3V
最大栅源电压
-20 V、+20 V
封装类型
TSON
安装类型
表面贴装
晶体管配置
引脚数目
8
通道模式
增强
类别
开关调节器 MOSFET
最大功率耗散
22 W
典型接通延迟时间
8.3 ns
典型关断延迟时间
14 ns
典型输入电容值@Vds
630 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs
9.8 nC @ 10 V
晶体管材料
Si
最高工作温度
+150 °C
高度
0.85mm
每片芯片元件数目
1
宽度
3.1mm
正向二极管电压
1.2V
尺寸
3.1 x 3.1 x 0.85mm
系列
U-MOSVIII-H
无铅情况/RoHs
无铅/符合RoHs
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