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ZXMN6A25KTC
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ZXMN6A25KTC

类别: 晶体管
制造商:DIODES INCORPORATED
封装:
批号:
库存:1
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描述
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; 4.25W; DPAK
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供应商:
科微杰
系列
ZXMN
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
最大工作温度
+ 150 C
最小工作温度
- 55 C
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
下降时间
10.6 ns
典型接通延迟时间
3.8 ns
上升时间
4 ns
Vgs-栅极-源极电压
20 V
Pd-功率耗散
2.11 W
通道数量
1 Channel
Id-连续漏极电流
10.7 A
Vds-漏源极击穿电压
60 V
晶体管类型
1 N-Channel
RdsOn-漏源导通电阻
50 mOhms
通道模式
Enhancement
晶体管极性
N-Channel
典型关闭延迟时间
26.2 ns
FET类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时)
7A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)
4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
20.4nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)
1063pF @ 30V
Vgs(最大值)
±20V
功率耗散(最大值)
2.11W(Ta)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)
50 毫欧 @ 3.6A,10V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2引线+...
封装形式Package
DPAK
极性Polarity
N-CH
漏源极击穿电压VDSS
60V
连续漏极电流ID
10.7A
无铅情况/RoHs
无铅/符合RoHs
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