ZXMP7A17GQTA_科微杰电子商城_晶体管

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ZXMP7A17GQTA

类别：晶体管

制造商：DIODES INCORPORATED

封装：

批号：

库存：1

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描述

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -70V; -1.6A; 2W; SOT223

单价：

1+ PCS ￥面议

100+ PCS ￥面议

1000+ PCS ￥面议

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ZXMP7A17GQTA参数
商品详情
其它分类

供应商：

科微杰

FET特点：

Logic Level Gate

封装：

Tape & Reel (TR)

安装类型：

Surface Mount

的Vgs（th ）（最大）@ Id：

1V @ 250µA

封装/外壳：

TO-261-4, TO-261AA

供应商设备封装：

SOT-223

其他名称：

ZXMP7A17GQTADITR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：

160 mOhm @ 2.1A, 1...

FET型：

MOSFET P-Channel, ...

功率 - 最大：

标准包装：

1,000

漏极至源极电压（Vdss）：

70V

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：

2.6A (Ta)

输入电容（Ciss ） @ VDS：

635pF @ 40V

闸电荷（Qg ） @ VGS：

18nC @ 10V

RoHS指令：

Contains lead / Ro...

漏源极电压 (Vdss)：

70V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：

635pF @ 40V

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：

160 mOhm @ 2.1A, 1...

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：

18nC @ 10V

FET 功能：

Standard

FET 类型：

MOSFET P-Channel, ...

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：

1V @ 250µA

电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：

2.6A (Ta)

工厂包装数量：

1000

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：

- 70 V

晶体管极性：

P-Channel

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：

- 1 V

Qg - Gate Charge：

18 nC

Vgs - Gate-Source Voltage：

20 V

下降时间：

8 ns

品牌：

Diodes Incorporate...

通道数：

1 Channel

配置：

Single

最高工作温度：

+ 150 C

晶体管类型：

1 P-Channel

正向跨导 - 闵：

4.4 S

Id - Continuous Drain Current：

- 2.6 A

Rds On - Drain-Source Resistance：

250 mOhms

RoHS：

RoHS Compliant

典型关闭延迟时间：

27.9 ns

通道模式：

Enhancement

系列：

ZXMP7

安装风格：

SMD/SMT

最低工作温度：

- 55 C

Pd - Power Dissipation：

16 W

上升时间：

3.4 ns

技术：

暂无数据

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